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STD11N65M5

STD11N65M5

僅供參考

型號 STD11N65M5
PNEDA編號 STD11N65M5
描述 MOSFET N CH 650V 9A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD11N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD11N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD11N65M5, STD11N65M5數據表 (總頁數: 30, 大小: 1,017.69 KB)
PDFSTP11N65M5數據表 封面
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STD11N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds620pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Ta), 193A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2651pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

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-

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1.25W (Tj)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

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1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

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