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STD16N65M5

STD16N65M5

僅供參考

型號 STD16N65M5
PNEDA編號 STD16N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD16N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD16N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD16N65M5, STD16N65M5數據表 (總頁數: 19, 大小: 844.54 KB)
PDFSTD16N65M5數據表 封面
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STD16N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs299mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1250pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 190A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6030pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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