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STD2NK70Z-1

STD2NK70Z-1

僅供參考

型號 STD2NK70Z-1
PNEDA編號 STD2NK70Z-1
描述 MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD2NK70Z-1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD2NK70Z-1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD2NK70Z-1, STD2NK70Z-1數據表 (總頁數: 12, 大小: 306.08 KB)
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STD2NK70Z-1規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 48V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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21mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 8µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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