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STD30N6LF6AG

STD30N6LF6AG

僅供參考

型號 STD30N6LF6AG
PNEDA編號 STD30N6LF6AG
描述 MOSFET N-CH 60V 24A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD30N6LF6AG資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD30N6LF6AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD30N6LF6AG, STD30N6LF6AG數據表 (總頁數: 15, 大小: 434.7 KB)
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STD30N6LF6AG規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1320pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 20V

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

940mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

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