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STD55NH2LLT4

STD55NH2LLT4

僅供參考

型號 STD55NH2LLT4
PNEDA編號 STD55NH2LLT4
描述 MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD55NH2LLT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD55NH2LLT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD55NH2LLT4, STD55NH2LLT4數據表 (總頁數: 16, 大小: 521.75 KB)
PDFSTD55NH2LLT4數據表 封面
STD55NH2LLT4數據表 頁面 2 STD55NH2LLT4數據表 頁面 3 STD55NH2LLT4數據表 頁面 4 STD55NH2LLT4數據表 頁面 5 STD55NH2LLT4數據表 頁面 6 STD55NH2LLT4數據表 頁面 7 STD55NH2LLT4數據表 頁面 8 STD55NH2LLT4數據表 頁面 9 STD55NH2LLT4數據表 頁面 10 STD55NH2LLT4數據表 頁面 11

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STD55NH2LLT4規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds990pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2458pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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