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STD80N10F7

STD80N10F7

僅供參考

型號 STD80N10F7
PNEDA編號 STD80N10F7
描述 MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD80N10F7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD80N10F7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD80N10F7, STD80N10F7數據表 (總頁數: 25, 大小: 1,361.06 KB)
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STD80N10F7規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2785pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

511pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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