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STE180NE10

STE180NE10

僅供參考

型號 STE180NE10
PNEDA編號 STE180NE10
描述 MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STE180NE10資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STE180NE10
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STE180NE10, STE180NE10數據表 (總頁數: 12, 大小: 260.12 KB)
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STE180NE10規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs795nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds21000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱ISOTOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

81W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (8x8)

包裝/箱

3-PowerDFN

IRF6611

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4860pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DIRECTFET™ MX

包裝/箱

DirectFET™ Isometric MX

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

793pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta), 1.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

517pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

59.5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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