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STF11N65K3

STF11N65K3

僅供參考

型號 STF11N65K3
PNEDA編號 STF11N65K3
描述 MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF11N65K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF11N65K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF11N65K3, STF11N65K3數據表 (總頁數: 13, 大小: 810.06 KB)
PDFSTF11N65K3數據表 封面
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STF11N65K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1180pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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