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STF13N60DM2

STF13N60DM2

僅供參考

型號 STF13N60DM2
PNEDA編號 STF13N60DM2
描述 N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF13N60DM2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF13N60DM2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF13N60DM2, STF13N60DM2數據表 (總頁數: 13, 大小: 443.98 KB)
PDFSTF13N60DM2數據表 封面
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STF13N60DM2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs365mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds730pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 8V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32Ohm @ 125mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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