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STF14NM50N

STF14NM50N

僅供參考

型號 STF14NM50N
PNEDA編號 STF14NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF14NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF14NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF14NM50N, STF14NM50N數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,269.09 KB)
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STF14NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds816pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

FET功能

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

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FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

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