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STF18NM80

STF18NM80

僅供參考

型號 STF18NM80
PNEDA編號 STF18NM80
描述 MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF18NM80資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF18NM80
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF18NM80, STF18NM80數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,048.45 KB)
PDFSTF18NM80數據表 封面
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STF18NM80規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2070pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

163A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1136W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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