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STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

僅供參考

型號 STFI11N60M2-EP
PNEDA編號 STFI11N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFI11N60M2-EP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFI11N60M2-EP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFI11N60M2-EP, STFI11N60M2-EP數據表 (總頁數: 13, 大小: 299.32 KB)
PDFSTFI11N60M2-EP數據表 封面
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STFI11N60M2-EP規格

制造商STMicroelectronics
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4414pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

176nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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