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STFI260N6F6

STFI260N6F6

僅供參考

型號 STFI260N6F6
PNEDA編號 STFI260N6F6
描述 MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFI260N6F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFI260N6F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFI260N6F6, STFI260N6F6數據表 (總頁數: 12, 大小: 652.45 KB)
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STFI260N6F6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs183nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)41.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAKFP (TO-281)
包裝/箱TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

298W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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