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STFI4N62K3

STFI4N62K3

僅供參考

型號 STFI4N62K3
PNEDA編號 STFI4N62K3
描述 MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,098
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFI4N62K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFI4N62K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFI4N62K3, STFI4N62K3數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,055.96 KB)
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STFI4N62K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)620V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAKFP (TO-281)
包裝/箱TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9200pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3930pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1540pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

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功耗(最大值)

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