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STFV3N150

STFV3N150

僅供參考

型號 STFV3N150
PNEDA編號 STFV3N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFV3N150資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFV3N150
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFV3N150, STFV3N150數據表 (總頁數: 16, 大小: 478.15 KB)
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STFV3N150規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds939pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 81A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

241nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10720pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 590mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

18W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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