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STFV4N150

STFV4N150

僅供參考

型號 STFV4N150
PNEDA編號 STFV4N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFV4N150資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFV4N150
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STFV4N150規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.9mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 83µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4340pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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