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STFW3N150

STFW3N150

僅供參考

型號 STFW3N150
PNEDA編號 STFW3N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 14,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFW3N150資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFW3N150
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFW3N150, STFW3N150數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,056.73 KB)
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STFW3N150規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds939pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)63W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOWATT-218FX
包裝/箱ISOWATT218FX

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30V

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

175W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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