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STGB19NC60WT4

STGB19NC60WT4

僅供參考

型號 STGB19NC60WT4
PNEDA編號 STGB19NC60WT4
描述 IGBT 600V 40A 130W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB19NC60WT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB19NC60WT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB19NC60WT4, STGB19NC60WT4數據表 (總頁數: 16, 大小: 313.75 KB)
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STGB19NC60WT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 12A
功率-最大130W
開關能量81µJ (on), 125µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用53nC
25°C時的Td(開/關)25ns/90ns
測試條件390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

275W

開關能量

1.5mJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/172ns

測試條件

400V, 50A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

450A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 60A

功率-最大

200W

開關能量

1.4mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/152ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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