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STGB30H60DFB

STGB30H60DFB

僅供參考

型號 STGB30H60DFB
PNEDA編號 STGB30H60DFB
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB30H60DFB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB30H60DFB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB30H60DFB, STGB30H60DFB數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,747.99 KB)
PDFSTGB30H60DFB數據表 封面
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STGB30H60DFB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大260W
開關能量383µJ (on), 293µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用149nC
25°C時的Td(開/關)37ns/146ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)53ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

功率-最大

200W

開關能量

850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/100ns

測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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42A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

223W

開關能量

1.1mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

116ns/292ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

298W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

137nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

447ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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