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STGB30H60DLLFBAG

STGB30H60DLLFBAG

僅供參考

型號 STGB30H60DLLFBAG
PNEDA編號 STGB30H60DLLFBAG
描述 IGBT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB30H60DLLFBAG資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB30H60DLLFBAG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB30H60DLLFBAG, STGB30H60DLLFBAG數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,005.23 KB)
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STGB30H60DLLFBAG規格

制造商STMicroelectronics
系列HB
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 5V, 30A
功率-最大260W
開關能量600µJ (off)
輸入類型Logic
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)-/320ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 4V, 6A

功率-最大

187W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

20nC

25°C時的Td(開/關)

-/5.4µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 12A

功率-最大

150W

開關能量

160µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/73ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/312ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 36A

功率-最大

300W

開關能量

950µJ (on), 840µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

113nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

400V, 36A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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