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STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4

僅供參考

型號 STGB35N35LZT4
PNEDA編號 STGB35N35LZT4
描述 IGBT 345V 40A 176W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB35N35LZT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB35N35LZT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB35N35LZT4, STGB35N35LZT4數據表 (總頁數: 18, 大小: 714.43 KB)
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STGB35N35LZT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)345V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 4.5V, 15A
功率-最大176W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)1.1µs/26.5µs
測試條件300V, 15A, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

112A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

1.29mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/291ns

測試條件

400V, 30A, 11Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/124ns

測試條件

400V, 30A, 13Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

2.4mJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

1.3µs/8µs

測試條件

328V, 10A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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