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STGB4M65DF2

STGB4M65DF2

僅供參考

型號 STGB4M65DF2
PNEDA編號 STGB4M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB4M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB4M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB4M65DF2, STGB4M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,161.76 KB)
PDFSTGB4M65DF2數據表 封面
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STGB4M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)16A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大68W
開關能量40µJ (on), 136µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15.2nC
25°C時的Td(開/關)12ns/86ns
測試條件400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)133ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

170W

開關能量

690µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/194ns

測試條件

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

112ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 2.5V, 100A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

23A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

34W

開關能量

340µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/180ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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