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STGB7H60DF

STGB7H60DF

僅供參考

型號 STGB7H60DF
PNEDA編號 STGB7H60DF
描述 IGBT 600V 14A 88W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB7H60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB7H60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB7H60DF, STGB7H60DF數據表 (總頁數: 25, 大小: 979.33 KB)
PDFSTGB7H60DF數據表 封面
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STGB7H60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)28A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 7A
功率-最大88W
開關能量99µJ (on), 100µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用46nC
25°C時的Td(開/關)30ns/160ns
測試條件400V, 7A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)136ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

119A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

395W

開關能量

680µJ (on), 430µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

166nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/347ns

測試條件

400V, 37.5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 10A

功率-最大

44.6W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/130ns

測試條件

200V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 25A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

功率-最大

175W

開關能量

300µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

96nC

25°C時的Td(開/關)

21.5ns/180ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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25°C時的Td(開/關)

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