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STGB7NB60KDT4

STGB7NB60KDT4

僅供參考

型號 STGB7NB60KDT4
PNEDA編號 STGB7NB60KDT4
描述 IGBT 600V 14A 80W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB7NB60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB7NB60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB7NB60KDT4, STGB7NB60KDT4數據表 (總頁數: 12, 大小: 330.29 KB)
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STGB7NB60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)56A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 7A
功率-最大80W
開關能量140µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用32.7nC
25°C時的Td(開/關)15ns/50ns
測試條件480V, 7A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)50ns
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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650V

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

1.02mJ (on), 410µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

77nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/65ns

測試條件

300V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 24A

功率-最大

500W

開關能量

3.6mJ (on), 1.76mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

96nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/155ns

測試條件

850V, 24A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/68ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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