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STGF10M65DF2

STGF10M65DF2

僅供參考

型號 STGF10M65DF2
PNEDA編號 STGF10M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF10M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF10M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF10M65DF2, STGF10M65DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 965.83 KB)
PDFSTGF10M65DF2數據表 封面
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STGF10M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 10A
功率-最大30W
開關能量120µJ (on), 270µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用28nC
25°C時的Td(開/關)19ns/91ns
測試條件400V, 10A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)96ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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64A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 40A

功率-最大

480W

開關能量

3.9mJ (on), 660µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/125ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

195ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

416W

開關能量

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

375nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/252ns

測試條件

400V, 60A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

195W

開關能量

570µJ (on), 590µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

175nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/90ns

測試條件

300V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

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