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STGFW40V60F

STGFW40V60F

僅供參考

型號 STGFW40V60F
PNEDA編號 STGFW40V60F
描述 IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGFW40V60F資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGFW40V60F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGFW40V60F, STGFW40V60F數據表 (總頁數: 24, 大小: 1,888.39 KB)
PDFSTGW40V60F數據表 封面
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STGFW40V60F規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 40A
功率-最大62.5W
開關能量456µJ (on), 411µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用226nC
25°C時的Td(開/關)52ns/208ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

160µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

PowerMESH™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 3A

功率-最大

48W

開關能量

1.1mJ (on), 1.15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18nC

25°C時的Td(開/關)

125µs/3.4µs

測試條件

480V, 3A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

IRG4RC10KD

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.62V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

250µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

49ns/97ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 2.5V, 100A

功率-最大

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門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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