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STGFW80V60F

STGFW80V60F

僅供參考

型號 STGFW80V60F
PNEDA編號 STGFW80V60F
描述 IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 28 - 三月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGFW80V60F資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGFW80V60F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGFW80V60F, STGFW80V60F數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,642.39 KB)
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STGFW80V60F規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 80A
功率-最大79W
開關能量1.8mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用448nC
25°C時的Td(開/關)60ns/220ns
測試條件400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

208W

開關能量

1.1mJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/58ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

198W

開關能量

1.9mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/580ns

測試條件

800V, 15A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

300µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/250ns

測試條件

400V, 10A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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40A

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門禁費用

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