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STGP100N30

STGP100N30

僅供參考

型號 STGP100N30
PNEDA編號 STGP100N30
描述 IGBT 330V 90A 250W TO220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 18,036
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP100N30資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP100N30
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP100N30, STGP100N30數據表 (總頁數: 13, 大小: 693.46 KB)
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STGP100N30規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)330V
當前-集電極(Ic)(最大值)90A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 50A
功率-最大250W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/134ns
測試條件180V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

187W

開關能量

1.17mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

165nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/207ns

測試條件

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.95V @ 15V, 10A

功率-最大

300W

開關能量

1.1mJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

36nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 10A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

350W

開關能量

3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/180ns

測試條件

960V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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