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STGW30M65DF2

STGW30M65DF2

僅供參考

型號 STGW30M65DF2
PNEDA編號 STGW30M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW30M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW30M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW30M65DF2, STGW30M65DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 747.38 KB)
PDFSTGWA30M65DF2數據表 封面
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STGW30M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大258W
開關能量300µJ (on), 960µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用80nC
25°C時的Td(開/關)31.6ns/115ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

14A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 3A

功率-最大

75W

開關能量

590µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.5nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/220ns

測試條件

850V, 6A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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STMicroelectronics

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

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開關能量

743µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

195nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/240ns

測試條件

390V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

348W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IXYS

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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