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STGW30NC60WD

STGW30NC60WD

僅供參考

型號 STGW30NC60WD
PNEDA編號 STGW30NC60WD
描述 IGBT 600V 60A 200W TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW30NC60WD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW30NC60WD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW30NC60WD, STGW30NC60WD數據表 (總頁數: 14, 大小: 542.97 KB)
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STGW30NC60WD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 20A
功率-最大200W
開關能量305µJ (on), 181µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用102nC
25°C時的Td(開/關)29.5ns/118ns
測試條件390V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

340W

開關能量

1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

-/115ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

IRGB4045DPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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