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STGW35NB60SD

STGW35NB60SD

僅供參考

型號 STGW35NB60SD
PNEDA編號 STGW35NB60SD
描述 IGBT 600V 70A 200W TO247
制造商 STMicroelectronics
單價
1 ---------- $43.7039
100 ---------- $41.6553
250 ---------- $39.6067
500 ---------- $37.5581
750 ---------- $35.8509
1,000 ---------- $34.1437
庫存 7
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW35NB60SD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW35NB60SD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW35NB60SD, STGW35NB60SD數據表 (總頁數: 13, 大小: 241.69 KB)
PDFSTGW35NB60SD數據表 封面
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STGW35NB60SD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)250A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 15V, 20A
功率-最大200W
開關能量840µJ (on), 7.4mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用83nC
25°C時的Td(開/關)92ns/1.1µs
測試條件480V, 20A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)44ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

280W

開關能量

1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

50ns/70ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

238W

開關能量

190µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

114nC

25°C時的Td(開/關)

-/210ns

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400V, 40A, 22Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

1.25mJ (on), 530µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

75ns/128ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

428W

開關能量

1.74mJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/490ns

測試條件

600V, 25A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

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安裝類型

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