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STGW40H120DF2

STGW40H120DF2

僅供參考

型號 STGW40H120DF2
PNEDA編號 STGW40H120DF2
描述 IGBT 1200V 40A HS TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW40H120DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW40H120DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW40H120DF2, STGW40H120DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 819.58 KB)
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STGW40H120DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 40A
功率-最大468W
開關能量1mJ (on), 1.32mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用187nC
25°C時的Td(開/關)18ns/152ns
測試條件600V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)488ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 25A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

192A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/160ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

80ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

制造商

IXYS

系列

XPT™, GenX4™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

115A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

455W

開關能量

1.4mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

66nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/115ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

66W

開關能量

190µJ (on), 920µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/194ns

測試條件

480V, 12A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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