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STGW75M65DF2

STGW75M65DF2

僅供參考

型號 STGW75M65DF2
PNEDA編號 STGW75M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 17,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW75M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW75M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW75M65DF2, STGW75M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,019.14 KB)
PDFSTGW75M65DF2數據表 封面
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STGW75M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)225A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 75A
功率-最大468W
開關能量690µJ (on), 2.54mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用225nC
25°C時的Td(開/關)47ns/125ns
測試條件400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)165ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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Renesas Electronics America

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 22A

功率-最大

40W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

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輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

STMicroelectronics

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1mJ (on), 1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

158nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/152ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

412W

開關能量

3.8mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

217nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/535ns

測試條件

600V, 30A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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