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STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

僅供參考

型號 STGWA8M120DF3
PNEDA編號 STGWA8M120DF3
描述 IGBT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWA8M120DF3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWA8M120DF3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGWA8M120DF3, STGWA8M120DF3數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,005.31 KB)
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STGWA8M120DF3規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)32A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 8A
功率-最大167W
開關能量390µJ (on), 370µJ (Off)
輸入類型Standard
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)20ns/126ns
測試條件600V, 8A, 33Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)103ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 Long Leads

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

6.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/400ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

32A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

340µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/180ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 60A

功率-最大

180W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

275nC

25°C時的Td(開/關)

140ns/630ns

測試條件

600V, 60A, 51Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.2µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

42A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

功率-最大

49W

開關能量

240µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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