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STH260N6F6-6

STH260N6F6-6

僅供參考

型號 STH260N6F6-6
PNEDA編號 STH260N6F6-6
描述 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
制造商 STMicroelectronics
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庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STH260N6F6-6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STH260N6F6-6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STH260N6F6-6, STH260N6F6-6數據表 (總頁數: 13, 大小: 811.52 KB)
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STH260N6F6-6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs183nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝H2PAK-6
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 10V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 33A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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