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STI12N65M5

STI12N65M5

僅供參考

型號 STI12N65M5
PNEDA編號 STI12N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STI12N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STI12N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STI12N65M5, STI12N65M5數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,086.76 KB)
PDFSTI12N65M5數據表 封面
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STI12N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs430mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

530mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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