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STI300N4F6

STI300N4F6

僅供參考

型號 STI300N4F6
PNEDA編號 STI300N4F6
描述 MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STI300N4F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STI300N4F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STI300N4F6, STI300N4F6數據表 (總頁數: 13, 大小: 777.31 KB)
PDFSTI300N4F6數據表 封面
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STI300N4F6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK (TO-262)
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.2mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 360µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

202mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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179W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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