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STL160N3LLH6

STL160N3LLH6

僅供參考

型號 STL160N3LLH6
PNEDA編號 STL160N3LLH6
描述 MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL160N3LLH6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL160N3LLH6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL160N3LLH6, STL160N3LLH6數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,178.4 KB)
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STL160N3LLH6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs61.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6375pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1707pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 31.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4360pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

390W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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