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STL19N60DM2

STL19N60DM2

僅供參考

型號 STL19N60DM2
PNEDA編號 STL19N60DM2
描述 N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL19N60DM2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL19N60DM2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL19N60DM2, STL19N60DM2數據表 (總頁數: 13, 大小: 206.95 KB)
PDFSTL19N60DM2數據表 封面
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STL19N60DM2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3072pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

880mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D3Pak

包裝/箱

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