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STL24N60M2

STL24N60M2

僅供參考

型號 STL24N60M2
PNEDA編號 STL24N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 18 - 二月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL24N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL24N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL24N60M2, STL24N60M2數據表 (總頁數: 15, 大小: 856.55 KB)
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STL24N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1060pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2577pF @ 30V

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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