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STL2N80K5

STL2N80K5

僅供參考

型號 STL2N80K5
PNEDA編號 STL2N80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL2N80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL2N80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STL2N80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH5™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds95pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

460nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2211pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.51W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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