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STL38N65M5

STL38N65M5

僅供參考

型號 STL38N65M5
PNEDA編號 STL38N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 24,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL38N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL38N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL38N65M5, STL38N65M5數據表 (總頁數: 16, 大小: 876.82 KB)
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STL38N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs71nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 10V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

1.6W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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