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STL4LN80K5

STL4LN80K5

僅供參考

型號 STL4LN80K5
PNEDA編號 STL4LN80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL4LN80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL4LN80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STL4LN80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ K5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6) VHV
包裝/箱8-PowerVDFN

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

350V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

+30V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 25V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

34.7W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

370mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24.1pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

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1.2Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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-

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