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STL7N60M2

STL7N60M2

僅供參考

型號 STL7N60M2
PNEDA編號 STL7N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL7N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL7N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STL7N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds271pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)4W (Ta), 67W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFLAT™ (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

114mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(最大)

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