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STL9P2UH7

STL9P2UH7

僅供參考

型號 STL9P2UH7
PNEDA編號 STL9P2UH7
描述 MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,818
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL9P2UH7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL9P2UH7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STL9P2UH7規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2390pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)2.9W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

357mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1078pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 5.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

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