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STN1NK80Z

STN1NK80Z

僅供參考

型號 STN1NK80Z
PNEDA編號 STN1NK80Z
描述 MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STN1NK80Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STN1NK80Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STN1NK80Z, STN1NK80Z數據表 (總頁數: 15, 大小: 601.04 KB)
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STN1NK80Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

122mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.45nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

236mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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