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STP10N65K3

STP10N65K3

僅供參考

型號 STP10N65K3
PNEDA編號 STP10N65K3
描述 MOSFET N-CH 650V 10A TO220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP10N65K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP10N65K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP10N65K3, STP10N65K3數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,300.42 KB)
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STP10N65K3規格

制造商STMicroelectronics
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1180pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 5.5A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1423pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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