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STP12NM50N

STP12NM50N

僅供參考

型號 STP12NM50N
PNEDA編號 STP12NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP12NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP12NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP12NM50N, STP12NM50N數據表 (總頁數: 19, 大小: 591.13 KB)
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STP12NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds940pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2080pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3

包裝/箱

TO-220-3

制造商

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系列

TrenchMV™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 0.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

175°C

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