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STP26NM60ND

STP26NM60ND

僅供參考

型號 STP26NM60ND
PNEDA編號 STP26NM60ND
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP26NM60ND資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP26NM60ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP26NM60ND, STP26NM60ND數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,352.76 KB)
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STP26NM60ND規格

制造商STMicroelectronics
系列FDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54.6nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1817pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

211A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7120pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

139W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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