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STP32NM50N

STP32NM50N

僅供參考

型號 STP32NM50N
PNEDA編號 STP32NM50N
描述 MOSFET N CH 500V 22A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP32NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP32NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP32NM50N, STP32NM50N數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,168.62 KB)
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STP32NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1973pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3445pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 57A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

335nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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